强茂 SGT G3 车规级 MOSFET 系列 专为高效车载电源设计

產品特色

超低导通电阻
强茂 SGT G3 MOSFET 系列的导通电阻 RDS(on) 典型值低至 0.47 mΩ，最大值为 0.61 mΩ*，有助于降低导通损耗，提升大电流车载应用的运行效率。

优化 FOM 兼顾导通与开关性能
本系列针对导通电阻与栅极电荷的乘积（RDS(on) × Qg）进行优化，兼顾导通与开关性能。其优值（FOM）为 65.8 mΩ·nC*，有助于降低功率损耗，实现高效车载系统设计。

降低比导通电阻 提升芯片面积利用效率
SGT G3 MOSFET 系列的比导通电阻（RSP）为 6.72 mΩ·mm²*，兼具低导通电阻与高芯片面积利用效率，有助于提升功率密度，满足车载电源小型化设计的需求。

高可靠性设计 应对严苛车载环境
SGT G3 MOSFET 系列具备稳健的安全工作区（SOA）与雪崩耐受能力，可应对严苛的车载工作条件，提升器件承受高能量瞬态冲击的能力。
所有器件均经过 100% 雪崩测试与栅极电阻（Rg）测试，并在晶圆测试（CP）阶段引入 GDBC 与 DPAT，实施 100% 筛选，以落实强茂对零缺陷质量与长期可靠性的要求。
*上述性能数据以 40 V 产品为基准。

车规级质量与完整追溯管理
本系列遵循车规质量要求，采用可全面审核的制造流程，强化工艺管控与产品可追溯性。产品通过 AEC-Q101 车规级可靠性验证，可配合生产件批准程序（PPAP）的要求，最高结温可达 175°C。

先进车规级封装方案
SGT G3 MOSFET 系列提供多种先进封装选择，提升电气性能、散热性能与组装可靠性。
封装选项包括 DFN3333SW-8L、DFN5060SW-8L、TO-252AA、LFPAK56P、sTOLL、DFN5060DA-8L 与 TOLL。
其中，专利 DFN5060SW-8L 封装采用全铜夹（Full Copper-Clip）设计，源极与栅极均通过铜夹连接，取代传统栅极键合线，并搭配背面散热片。热仿真结果显示，该结构的结壳热阻（RθJC）可降至 0.71 °C/W，相较于传统采用金属带与键合线的冲压式封装（0.82 °C/W），约降低 13%。其侧面可润湿端子（Side-Wettable Flanks）可在车载电子组装过程中，通过自动光学检测（AOI）检查焊点，并提供类似鸥翼式引脚的效果，提升机械强度与焊点可靠性。

目标应用
强茂 SGT G3 车规级 MOSFET 系列适用于以下应用：
• 智能保险丝盒
• 电动助力转向系统（EPS）
• 车载逆变器
• 电动座椅
• 车身控制模块（BCM）
• 车载 DC/DC 转换器
• 其他车载电源转换与控制系统
凭借低导通损耗、兼顾导通与开关的性能、高可靠性与先进车规级封装，强茂 SGT G3 MOSFET 系列可为新一代汽车电子架构提供可持续扩展的功率半导体产品平台。

关于强茂（PANJIT）

强茂股份有限公司 (TWSE : 2481) 在分离式组件领域拥有最完整IDM资源，业务涵盖晶圆设计、制造、封装测试到销售自有品牌产品。持续不断地投入创新与研发，结合生产自动化能力与制造技术优化，主要产品有IC, MOSFET,萧特基二极管、碳化硅功率组件、二极管整流器、保护组件、双极性晶体管、桥式整流器等，透过全球市场布局与营销战略，致力于绿能应用市场发展，AI Ecosystem、电动车、风力发电、太阳能及储能系统等产业。系统认证有ISO 9001、IATF 16949、ISO 14000、ISO45001、IECQ QC080000、ESD S20.20和ISO27001。落实环境友善管理、关怀员工与贡献社会，提升企业永续发展，实践2040年碳中和的环境永续目标。强茂深知企业社会责任的重要性，积极响应全球永续发展趋势，将永续发展理念融入企业营运的各个环节。我们以「强化绿能发展，茂林永续经营」、「打造幸福强茂，员工引以为傲的企业」及「诚信经营，携手全球伙伴永续共好」为愿景，积极推动绿色转型，想了解更多欢迎下载详读强茂最新永续报告书。欲了解更多强茂信息，请造访：
．LinkedIn
．Facebook
．WeChat
．Youtube
．Bilibili

产品列表

• PSMWF005N04NS3-AU


• PSMWF011N04NS3-AU


• PSMWF007N04NS3-AU


• PSMWF008N04NS3-AU


• PSMWF024N04NS3-AU

更多产品将陆续推出。